HBM属于图形DDR内存的一种，通过使用先进的封装方法(如TSV硅通孔技术)垂直堆叠多个DRAM，与GPU通过中介层互联封装在一起，在较小的物理空间里实现高容量、高带宽、低延时与低功耗，已成为数据中心新一代内存解决方案。HBM的高焊盘数和短迹线长度需要2.5D先进封装技术，以实现密集的短连接。而日前，三星内部和业内消息人士称，三星电子将在年内推出高带宽存储器(HBM)的三维(3D)封装服务，预计这项技术将用于将于2025年推出的HBM4。